氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性

LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。

如果我们在生产过程中要减少氧化铝消耗，那么就必须注意下面的技巧方法：
⒈控制好氧化铝粒度不应过细，是砂状氧化铝，下料时阳极上封料要减少飞扬，加工时应关好窗户；
⒉换阳极时旧极上的料要扒净，残极上的氧化铝要清理干净；
⒊控制好沉淀，防止沉淀过多和沉淀变硬；
⒋生产过程中如果用到夹子，选用耐强酸碱的PP全塑料夹子，避免夹子腐蚀氧化造成污染。
产品参数
方程式：Al₂O₃
熔点：2050℃
99.995%高纯氧化铝系列主要用于LED人造蓝宝石晶体，陶瓷，PDP荧光粉及一些高性能材料。作为蓝宝石晶体原料，根据不同的要求可提供粉体，颗粒，块状或者柱状等类型。

工业氧化铝是由铝矾土（Al2O3·3H2O）和硬水铝石制备的，对于纯度要求高的Al2O3，一般用化学方法制备。Al2O3有许多同质异晶体，已知的有10多种，主要有3种晶型，即α-Al2O3、β-Al2O3、γ-Al2O3。其中结构不同性质也不同，在1300℃以上的高温时几乎完全转化为α-Al2O3
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