Ga2O3能与氟气反应，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到产物GaF3·3H2O。Ga2O3能溶于微热的稀硝酸、稀盐酸和稀硫酸中。经过灼烧的Ga2O3不溶于这些酸甚至于，也不溶于强碱的水溶液中，只能通过NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。与过量两倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化镓。在红热时，Ga2O3与石英反应形成玻璃体，但冷却时没有新化合物生成。红热时也能和上釉的瓷坩埚发生反应。

如果我们在生产过程中要减少氧化铝消耗，那么就必须注意下面的技巧方法：
⒈控制好氧化铝粒度不应过细，是砂状氧化铝，下料时阳极上封料要减少飞扬，加工时应关好窗户；
⒉换阳极时旧极上的料要扒净，残极上的氧化铝要清理干净；
⒊控制好沉淀，防止沉淀过多和沉淀变硬；
⒋生产过程中如果用到夹子，选用耐强酸碱的PP全塑料夹子，避免夹子腐蚀氧化造成污染。
产品参数
方程式：Al₂O₃
熔点：2050℃
99.995%高纯氧化铝系列主要用于LED人造蓝宝石晶体，陶瓷，PDP荧光粉及一些高性能材料。作为蓝宝石晶体原料，根据不同的要求可提供粉体，颗粒，块状或者柱状等类型。

氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性

LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。
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