Ga2O3能与氟气反应，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到产物GaF3·3H2O。Ga2O3能溶于微热的稀硝酸、稀盐酸和稀硫酸中。经过灼烧的Ga2O3不溶于这些酸甚至于，也不溶于强碱的水溶液中，只能通过NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。与过量两倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化镓。在红热时，Ga2O3与石英反应形成玻璃体，但冷却时没有新化合物生成。红热时也能和上釉的瓷坩埚发生反应。

LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。

东莞市鼎伟新材料有限公司提供氧化锆靶材  氧化镁靶材  氧化铝靶材 靶材 氧化钛靶材  三氧化四铁靶材 二氧化硅靶材等靶材  可以根据可以要求定做各种比例的陶瓷靶材 金属靶材

半导体二氧化钛的光化学性能已使其可用于许多领域，如空气、水和流体的净化。以碳或其他杂原子掺杂的光催化剂也可用于具有散射光源的密封空间或区域。用于建筑、人行石板、混凝土墙或屋顶瓦上的涂料中时，它们可以明显增加对空气中污染物如氮氧化物、芳烃和醛类的分解。
m.dgsdwxc1.b2b168.com