该材料在各种应用中的灵活性源于其广泛的可能导电性 - 由于其电场强度，从高导电性到非常绝缘性和高击穿电压能力。因此，氧化镓可以达到极端程度。大面积的氧化镓晶圆也可以从熔体中生长，从而降低了制造成本

氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其带隙大于硅，氮化镓和碳化硅，但在成为电力电子产品的主要参与者之前，仍需要开展更多的研发和推进工作

氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性

五氧化二铌:化学式Nb2O5，分子量265.81，白色晶体，熔点1460℃，相对密度4.47，相对介电常数35-50，带隙3.4eV。受热至400℃颜色变黄，溶于氢氟酸、热硫酸及碱，不溶于水是稳定的氧化物。其水合物的化学式为Nb2O5· xH2O，受热分解，可溶于、浓盐酸、氢氟酸及强碱, 不溶于水及氨水，在空气中灼烧金属铌或由铌酸脱水可得。
m.dgsdwxc1.b2b168.com