氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其带隙大于硅，氮化镓和碳化硅，但在成为电力电子产品的主要参与者之前，仍需要开展更多的研发和推进工作

LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。

Ga2O3能与氟气反应，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到产物GaF3·3H2O。Ga2O3能溶于微热的稀硝酸、稀盐酸和稀硫酸中。经过灼烧的Ga2O3不溶于这些酸甚至于，也不溶于强碱的水溶液中，只能通过NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。与过量两倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化镓。在红热时，Ga2O3与石英反应形成玻璃体，但冷却时没有新化合物生成。红热时也能和上釉的瓷坩埚发生反应。

二氧化锆（化学式：ZrO2）是锆的主要氧化物，通常状况下为白色无臭无味晶体，难溶于水、盐酸和稀硫酸。一般常含有少量的二氧化铪。化学性质不活泼，且具有高熔点、高电阻率、高折射率和低热膨胀系数的性质，使它成为重要的耐高温材料、陶瓷绝缘材料和陶瓷遮光剂，亦是人工钻的主要原料。能带间隙大约为5-7eV
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