氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性

该材料在各种应用中的灵活性源于其广泛的可能导电性 - 由于其电场强度，从高导电性到非常绝缘性和高击穿电压能力。因此，氧化镓可以达到极端程度。大面积的氧化镓晶圆也可以从熔体中生长，从而降低了制造成本

二氧化钛具有半导体的性能，它的电导率随温度的上升而迅速增加，而且对缺氧也非常敏感。例如，金红石型二氧化钛在20℃时还是电绝缘体，但加热到420℃时，它的电导率增加了107倍。稍微减少氧含量，对它的电导率会有的影响，按化学组成的二氧化钛（TiO2）电导率<10-10s/cm，而TiO1.9995的电导率则高达10-1s/cm。金红石型二氧化钛的介电常数和半导体性质对电子工业非常重要，该工业领域利用上述特性，生产陶瓷电容器等电子元器件

Ga2O3能与氟气反应，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到产物GaF3·3H2O。Ga2O3能溶于微热的稀硝酸、稀盐酸和稀硫酸中。经过灼烧的Ga2O3不溶于这些酸甚至于，也不溶于强碱的水溶液中，只能通过NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。与过量两倍的NH4Cl在250℃一起熔融生成氯化镓。在红热时，Ga2O3与石英反应形成玻璃体，但冷却时没有新化合物生成。红热时也能和上釉的瓷坩埚发生反应。
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