氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其带隙大于硅，氮化镓和碳化硅，但在成为电力电子产品的主要参与者之前，仍需要开展更多的研发和推进工作

该材料在各种应用中的灵活性源于其广泛的可能导电性 - 由于其电场强度，从高导电性到非常绝缘性和高击穿电压能力。因此，氧化镓可以达到极端程度。大面积的氧化镓晶圆也可以从熔体中生长，从而降低了制造成本

氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性

硅原子和氧原子长程有序排列形成晶态二氧化硅，短程有序或长程无序排列形成非晶态二氧化硅。二氧化硅晶体中，硅原子位于正四面体的中心，四个氧原子位于正四面体的四个顶角上，许多个这样的四面体又通过顶角的氧原子相连，每个氧原子为两个四面体共有，即每个氧原子与两个硅原子相结合。二氧化硅的简式是SiO2，但SiO2不代表一个简单分子(仅表示二氧化硅晶体中硅和氧的原子个数之比)。纯净的天然二氧化硅晶体，是一种坚硬、脆性、难溶的无色透明的固体，常用于制造光学仪器等
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