氧化镓开辟了我们用现有半导体无法实现的新可能性

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LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。

半导体二氧化钛的光化学性能已使其可用于许多领域，如空气、水和流体的净化。以碳或其他杂原子掺杂的光催化剂也可用于具有散射光源的密封空间或区域。用于建筑、人行石板、混凝土墙或屋顶瓦上的涂料中时，它们可以明显增加对空气中污染物如氮氧化物、芳烃和醛类的分解。
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