工业氧化铝是由铝矾土（Al2O3·3H2O）和硬水铝石制备的，对于纯度要求高的Al2O3，一般用化学方法制备。Al2O3有许多同质异晶体，已知的有10多种，主要有3种晶型，即α-Al2O3、β-Al2O3、γ-Al2O3。其中结构不同性质也不同，在1300℃以上的高温时几乎完全转化为α-Al2O3

LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。

五氧化二铌:化学式Nb2O5，分子量265.81，白色晶体，熔点1460℃，相对密度4.47，相对介电常数35-50，带隙3.4eV。受热至400℃颜色变黄，溶于氢氟酸、热硫酸及碱，不溶于水是稳定的氧化物。其水合物的化学式为Nb2O5· xH2O，受热分解，可溶于、浓盐酸、氢氟酸及强碱, 不溶于水及氨水，在空气中灼烧金属铌或由铌酸脱水可得。

氧化镓的别名是三氧化二镓，氧化镓（Ga2O3）是一种宽禁带半导体，Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。Ga2O3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景 ，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作O2化学探测器
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