该材料在各种应用中的灵活性源于其广泛的可能导电性 - 由于其电场强度，从高导电性到非常绝缘性和高击穿电压能力。因此，氧化镓可以达到极端程度。大面积的氧化镓晶圆也可以从熔体中生长，从而降低了制造成本

氧化镓是一种新兴的功率半导体材料，其带隙大于硅，氮化镓和碳化硅，但在成为电力电子产品的主要参与者之前，仍需要开展更多的研发和推进工作

东莞市鼎伟新材料有限公司提供氧化锆靶材  氧化镁靶材  氧化铝靶材 靶材 氧化钛靶材  三氧化四铁靶材 二氧化硅靶材等靶材  可以根据可以要求定做各种比例的陶瓷靶材 金属靶材

LOSFIA在日本成功地了使用实现常关MOSFET 的可能性 。这是一项具有开创性的工作，因为生产常关MOSFET一直被认为挑战性。FLOSFIA计划制造刚玉（corundum，一种晶体结构）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，从TO-220中的肖特基势垒二极管（SBD）开始，然后是MOSFET。
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